MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ146N10LS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 215-2473
- Nº ref. fabric.:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 215-2473
- Nº ref. fabric.:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El nivel lógico de MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon es muy adecuado para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja (Q g) de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Las cifras de mérito mejoradas permiten operaciones con altas frecuencias de conmutación. Además, el accionamiento de nivel lógico proporciona una tensión de umbral de puerta baja (V GS(the)) que permite accionar los MOSFET en 5V y directamente desde microcontroladores.
R DS(on) bajo en encapsulado pequeño
Carga de puerta baja
Menor carga de salida
Compatibilidad de nivel lógico
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