MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ146N10LS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 215-2473
- Nº ref. fabric.:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 0,91 € | 18,20 € |
| 40 - 80 | 0,864 € | 17,28 € |
| 100 - 180 | 0,827 € | 16,54 € |
| 200 - 480 | 0,792 € | 15,84 € |
| 500 + | 0,737 € | 14,74 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2473
- Nº ref. fabric.:
- BSZ146N10LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 52W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 52W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El nivel lógico de MOSFET de potencia OptiMOS™ 5 de Infineon es muy adecuado para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptador y telecomunicaciones. La carga de puerta baja (Q g) de los dispositivos reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Las cifras de mérito mejoradas permiten operaciones con altas frecuencias de conmutación. Además, el accionamiento de nivel lógico proporciona una tensión de umbral de puerta baja (V GS(the)) que permite accionar los MOSFET en 5V y directamente desde microcontroladores.
R DS(on) bajo en encapsulado pequeño
Carga de puerta baja
Menor carga de salida
Compatibilidad de nivel lógico
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