MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD90N06S4L03ATMA2, VDSS 60 V, ID 90 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
215-2520
Nº ref. fabric.:
IPD90N06S4L03ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

90A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

170nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia Infineon OptiMOS®-T2 tiene una tensión de fuente de drenaje máxima de 60V, N-Ch, MOSFET de automoción, con encapsulado DPAK(TO-252).

Canal N - Modo de mejora

Certificación AEC Q101 para automoción

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

RDSon muy bajo

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