MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPAN60R650CEXKSA1, VDSS 600 V, ID 9.9 A, P, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
217-2497
Nº ref. fabric.:
IPAN60R650CEXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

CoolMOS

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

650mΩ

Modo de canal

P

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

82W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

29.87mm

Longitud

16.1mm

Anchura

4.8 mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 700V, 650V y 600V CoolMOS™ CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.

Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo de energía reducida almacenada en Capacitancia de salida (E OSS)

Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)

R g integrado optimizado

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