MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS3207ZTRRPBF, VDSS 75 V, ID 170 A, TO-263

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Código RS:
217-2632
Nº ref. fabric.:
IRFS3207ZTRRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

170A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

170nC

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

9.65mm

Longitud

10.67mm

Anchura

4.83 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon 75V de MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo en un encapsulado D2-Pak.

Puerta mejorada, avalancha y resistencia dinámica a dv/dt

Capacitancia completamente caracterizada y SOA de avalancha

Diodo de cuerpo DV/dt y capacidad di/dt mejorados

Sin plomo

Conformidad con RoHS, sin halógenos

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