MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 45 A, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 217-2633
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4229TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 800 unidades)*
1.226,40 €
(exc. IVA)
1.484,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2400 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,533 € | 1.226,40 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2633
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4229TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 45A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 48mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 330W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Altura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | EIA 418 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 45A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 48mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 330W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Altura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares EIA 418 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon HEXFET® Power está diseñado específicamente para sostener ; Aplicaciones de conmutación de paso y recuperación de energía en paneles de pantalla de plasma. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio y una baja capacidad de impulso E.
Tecnología de procesos avanzados
Parámetros clave optimizados para aplicaciones de interruptor de paso, recuperación de energía y sostenimiento PDP
Baja calificación EPULSE para reducir la disipación de potencia en aplicaciones de interruptor de paso, recuperación de energía y sostenimiento PDP
QG bajo para respuesta rápida
Alta capacidad de corriente Peak repetitiva para un funcionamiento fiable
Tiempos de caída y subida cortos para conmutación rápida
Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C para mejorar la resistencia
Capacidad de avalancha repetitiva para solidez y fiabilidad