MOSFET Infineon IRFS4229TRLPBF, VDSS 250 V, ID 45 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines
- Código RS:
- 217-2633
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4229TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
2860 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 800)
2,216 €
(exc. IVA)
2,681 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,216 € | 1.772,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 217-2633
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4229TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET Infineon HEXFET® Power está diseñado específicamente para sostener
Aplicaciones de conmutación de paso y recuperación de energía en paneles de pantalla de plasma. Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio y una baja capacidad de impulso E.
Tecnología de procesos avanzados
Parámetros clave optimizados para aplicaciones de interruptor de paso, recuperación de energía y sostenimiento PDP
Baja calificación EPULSE para reducir la disipación de potencia en aplicaciones de interruptor de paso, recuperación de energía y sostenimiento PDP
QG bajo para respuesta rápida
Alta capacidad de corriente Peak repetitiva para un funcionamiento fiable
Tiempos de caída y subida cortos para conmutación rápida
Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C para mejorar la resistencia
Capacidad de avalancha repetitiva para solidez y fiabilidad
Parámetros clave optimizados para aplicaciones de interruptor de paso, recuperación de energía y sostenimiento PDP
Baja calificación EPULSE para reducir la disipación de potencia en aplicaciones de interruptor de paso, recuperación de energía y sostenimiento PDP
QG bajo para respuesta rápida
Alta capacidad de corriente Peak repetitiva para un funcionamiento fiable
Tiempos de caída y subida cortos para conmutación rápida
Temperatura de unión de funcionamiento de 175 °C para mejorar la resistencia
Capacidad de avalancha repetitiva para solidez y fiabilidad
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 45 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 250 V |
| Serie | HEXFET |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK (TO-263) |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 48 meses |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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