MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, TO-262 de 3 pines

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Código RS:
218-3061
Nº ref. fabric.:
IPI45N06S409AKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-262

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

71W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

23.45mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.4 mm

Longitud

10.2mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T2 integrado con encapsulado tipo I2PAK (TO-262).

Canal N - Modo de mejora

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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