MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 45 A, Mejora, TO-262 de 3 pines

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Código RS:
218-3061
Nº ref. fabric.:
IPI45N06S409AKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-262

Serie

OptiMOS-T2

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

71W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

23.45mm

Anchura

4.4mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.2mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOS™-T2 integrado con encapsulado tipo I2PAK (TO-262).

Canal N - Modo de mejora

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

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