MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines

Código RS:: 219-4224
Nº ref. fabric.:: SCTH70N120G2V-7
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 25/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

74,54 €

(exc. IVA)

90,19 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 1	74,54 €
2 - 4	70,79 €
5 - 9	63,74 €
10 +	63,35 €

Código RS:: 219-4224
Nº ref. fabric.:: SCTH70N120G2V-7
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCTH70N120G2V-7

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

STMicroelectronics el dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora MOSFET 2nd generación sic de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.

Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacidad de entrada y carga de puerta extremadamente baja

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje	90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.200 V
Serie	SCTH70N
Tipo de Encapsulado	H2PAK-7
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,21 O
Tensión de umbral de puerta máxima	4.9V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines

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