MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A de 5 pines
- Código RS:
- 219-4226P
- Nº ref. fabric.:
- SCTL90N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 219-4226P
- Nº ref. fabric.:
- SCTL90N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.24Ω | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.24Ω | ||
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET Sic avanzada e innovadora de 2a generación de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión notablemente baja por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de la unión.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacitancias bajas
Pin de detección de fuente para mayor eficacia