Nº ref. fabric.

MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A de 5 pines

Código RS:: 219-4226P
Nº ref. fabric.:: SCTL90N65G2V
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTL90N65G2V, VDSS 650 V, ID 40 A de 5 pines

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Código RS:: 219-4226P
Nº ref. fabric.:: SCTL90N65G2V
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.24Ω

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.24Ω

Datasheet - SCTL90N65G2V

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET Sic avanzada e innovadora de 2a generación de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión notablemente baja por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de la unión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Capacitancias bajas

Pin de detección de fuente para mayor eficacia

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