MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 26 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
219-5980
Nº ref. fabric.:
IPA60R360P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS P7

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de superunión optimizados CoolMO P7 de 600V V Infineon que combinan alta eficiencia energética con facilidad de uso son el sucesor de la serie CoolMOS P6 de 600V V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS 7th garantizan su alta eficiencia.

MOSFET es adecuado para topologías de conmutación tanto rígidas como resonantes como PFC y LLC

Excelente resistencia durante conmutación dura del diodo del cuerpo visto en topología LLC

Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias de salida

Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo

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