MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPW65R065C7XKSA1, VDSS 700 V, ID 145 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7459
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R065C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 9,17 € | 18,34 € |
| 10 - 18 | 8,25 € | 16,50 € |
| 20 - 48 | 7,705 € | 15,41 € |
| 50 - 98 | 7,15 € | 14,30 € |
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- Código RS:
- 220-7459
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R065C7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 145A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 145A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon Cool MOS C7 de MOSFET de súper unión es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.
Tensión 650V
El mejor R DS(on)/paquete revolucionario de su clase
Energía reducida almacenada en capacitancia de salida (Eoss)
Bajar QG de carga de compuerta
Ahorro de espacio mediante el uso de encapsulados más pequeños o la reducción de piezas
Margen de seguridad mejorado y adecuado para SMPS y solar aplicaciones de inversor
Pérdidas de conducción/encapsulado más bajas
Pérdidas de conmutación bajas
Mejor eficiencia de carga ligera
Aumento de la densidad de potencia
Excelente calidad Cool MOS™
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