MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 113 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
221-6731
Nº ref. fabric.:
NTMFS4D2N10MDT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

113A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

NTMFS4D2N

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.85V

Disipación de potencia máxima Pd

132W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.1 mm

Altura

6.3mm

Longitud

5.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET MV de canal N de on Semiconductor se produce mediante un Advanced Power Trench Process que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de encendido y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior con QG y QOSS muy bajos.

Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción

QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador

QRR bajo, diodo de cuerpo de recuperación suave

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