MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS4D2N10MDT1G, VDSS 100 V, ID 113 A, Mejora, DFN de 5 pines

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Código RS:
221-6732
Nº ref. fabric.:
NTMFS4D2N10MDT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

113A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

DFN

Serie

NTMFS4D2N

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

60nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

132W

Tensión directa Vf

0.85V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

6.3mm

Anchura

1.1 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET MV de canal N de on Semiconductor se produce mediante un Advanced Power Trench Process que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de encendido y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior con QG y QOSS muy bajos.

Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción

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