MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMN2710UWQ-7, VDSS 20 V, ID 900 mA, Mejora, SOT-323 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*

7,00 €

(exc. IVA)

8,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2800 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
  • Disponible(s) 1250 unidad(es) más para enviar a partir del 12 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
50 - 500,14 €7,00 €
100 - 2000,069 €3,45 €
250 - 4500,067 €3,35 €
500 - 9500,063 €3,15 €
1000 +0,062 €3,10 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-2835
Nº ref. fabric.:
DMN2710UWQ-7
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

900mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-323

Serie

DMN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

450mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

6 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

0.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.35 mm

Altura

1.1mm

Longitud

2.2mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.

Baja resistencia

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Totalmente sin plomo y totalmente compatible con RoHS

Enlaces relacionados