MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal SP8M3HZGTB, VDSS 30 V, ID 5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4380
Nº ref. fabric.:
SP8M3HZGTB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SP8M3

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

56mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.75mm

Anchura

6 mm

Longitud

5mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Rohm de grado de automoción SP8M3HZG n con certificación EC-Q101. Los MOSFET NCH+PCH 30V con diodo de protección ESD se incluyen en el encapsulado SOP8. Ideal para aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Sin halógenos

Chapado en Sn100 %

Certificación AEC-Q101

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