MOSFET ROHM, Tipo N, Tipo P-Canal SP8M4HZGTB, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4382
Nº ref. fabric.:
SP8M4HZGTB
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SP8M4

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

28mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Anchura

6 mm

Altura

1.75mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Rohm de grado de automoción SP8M4HZG n con certificación EC-Q101. Los MOSFET NCH+PCH 30V con diodo de protección ESD se incluyen en el encapsulado SOP8. Ideal para aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)

Chapado de cable sin plomo ; En conformidad con RoHS

Certificación AEC-Q101

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