MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal SP8M6HZGTB, VDSS 30 V, ID 5 A, SOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

12,00 €

(exc. IVA)

14,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Disponible(s) 2340 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 401,20 €12,00 €
50 - 901,174 €11,74 €
100 - 2401,068 €10,68 €
250 - 9900,96 €9,60 €
1000 +0,942 €9,42 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4386
Nº ref. fabric.:
SP8M6HZGTB
Fabricante:
ROHM
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SP8M5

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

90mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.5nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Longitud

5mm

Altura

1.75mm

Anchura

6 mm

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Rohm de grado de automoción SP8M6HZG n con certificación EC-Q101. Los MOSFET NCH+PCH 30V con diodo de protección ESD se incluyen en el encapsulado SOP8. Ideal para aplicaciones de conmutación.

Baja resistencia

Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8)

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Sin halógenos

Chapado en Sn100 %

Certificación AEC-Q101

Enlaces relacionados