MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW65R048CFDAFKSA1, VDSS 700 V, ID 63.3 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4725
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R048CFDAFKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
5,22 €
(exc. IVA)
6,32 €
(inc.IVA)
Añade 17 unidades para conseguir entrega gratuita
Disponible
- Disponible(s) 95 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 5,22 € |
| 5 - 9 | 5,08 € |
| 10 - 24 | 4,94 € |
| 25 - 49 | 4,81 € |
| 50 + | 4,69 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4725
- Nº ref. fabric.:
- IPW65R048CFDAFKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 48mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 270nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 21.1mm | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 48mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 270nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 21.1mm | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².
Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS
Resistencia térmica superior probada al 100 % de avalancha
Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-23
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 3 pines