MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 76 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 222-4730
- Nº ref. fabric.:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 30 unidades)*
192,72 €
(exc. IVA)
233,19 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 90 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 6,424 € | 192,72 € |
| 60 - 120 | 6,103 € | 183,09 € |
| 150 + | 5,793 € | 173,79 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4730
- Nº ref. fabric.:
- IPZA60R037P7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 76A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 37mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 121nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 21.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 76A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 37mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 121nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 21.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies.
Excelente resistencia ESD >2kV (HBM) para todos los productos
Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación excelente resistencia ESD >2kV (HBM) para todos los productos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, TO-247 de 8 pines