MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 28 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 222-4917
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R070C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 222-4917
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R070C7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 28A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Serie | IPL60R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 169W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 28A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Serie IPL60R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 169W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon CoolMOS™ C7 superJunction MOSFET es un paso adelante revolucionario en tecnología, que proporciona el RDS(on)/encapsulado más bajo del mundo y, gracias a sus bajas pérdidas de conmutación, mejoras de eficiencia en el rango de carga completa.
El mejor R DS(on)/paquete revolucionario de su clase
Energía reducida almacenada en capacitancia de salida (Eoss)
Bajar QG de carga de compuerta
Ahorro de espacio mediante el uso de paquetes más pequeños o la reducción de piezas
12 años de experiencia en fabricación en tecnología de superunión
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