MOSFET ROHM, Tipo P-Canal, VDSS 40 V, ID 5 A, TSMT, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 223-6205P
- Nº ref. fabric.:
- QH8JB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal 50 unidades (suministrado en una tira continua)*
32,60 €
(exc. IVA)
39,45 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 09 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 50 - 90 | 0,652 € |
| 100 - 240 | 0,493 € |
| 250 - 990 | 0,482 € |
| 1000 + | 0,39 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 223-6205P
- Nº ref. fabric.:
- QH8JB5TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.41Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 0.85mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.8mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.41Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 0.85mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.8mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de señal pequeña ROHM tiene un tipo de encapsulado TSMT8. Se utiliza principalmente para conmutación.
Baja resistencia de encendido
Encapsulado pequeño para montaje superficial
Chapado sin plomo, conforme con RoHS
Libre de halógenos