MOSFET, N-Canal Vishay SQJ164ELP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 75 A, Simple, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 225-9949
- Nº ref. fabric.:
- SQJ164ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1.608,00 €
(exc. IVA)
1.947,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 19 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,536 € | 1.608,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 225-9949
- Nº ref. fabric.:
- SQJ164ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 60 V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Simple | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 187W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 90mm | |
| Altura | 6.15mm | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 60 V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Simple | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 187W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 90mm | ||
Altura 6.15mm | ||
Anchura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.
Certificación AEC-Q101
100 % Rg y UIS probados
Encapsulado delgado de 1,6 mm
Resistencia térmica muy baja
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Simple, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 12 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 60 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 30 V PowerPAK (8x8L) de 4 pines