MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ160E-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 602 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
225-9968
Nº ref. fabric.:
SQJQ160E-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

602A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK (8x8L)

Serie

N-Channel 60 V

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.8mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

183nC

Tensión directa Vf

0.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

600W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.7mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

Certificación AEC-Q101

100 % Rg y UIS probados

Encapsulado delgado de 1,6 mm

Resistencia térmica muy baja

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