MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 46 A, Mejora, TO-LL de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-3053P
Nº ref. fabric.:
STO65N60DM6
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-LL

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

76mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

320W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación (Qrr) muy baja, tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

Menor RDS(on) por área con respecto a la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

100 % a prueba de avalancha

Resistencia dv/dt extremadamente alta

Protección Zener

Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto de fuente de accionamiento adicional