MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPP129N10NF2SAKMA1, VDSS 100 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 228-6555
- Nº ref. fabric.:
- IPP129N10NF2SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 228-6555
- Nº ref. fabric.:
- IPP129N10NF2SAKMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | IPP129N10NF2S | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12.9mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 71W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 9.45mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie IPP129N10NF2S | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12.9mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 71W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 9.45mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IPP129N10NF2S es el MOSFET de potencia de canal N. La tensión de la fuente de drenaje de este mosfet es de 100 V. Es compatible con una amplia variedad de aplicaciones y la configuración de contactos estándar permite sustitución directa. Este mosfet tiene mayor capacidad de transporte de corriente.
Optimizado para una amplia gama de aplicaciones
Canal N, nivel normal
100 % a prueba de avalancha