MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 12 A, N, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 229-6320
- Nº ref. fabric.:
- FCPF250N65S3R0L-F154
- Fabricante:
- onsemi
Disponibilidad limitada
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- Código RS:
- 229-6320
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- FCPF250N65S3R0L-F154
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie SUPER FET DE ON Semiconductor es un MOSFET de súper unión de alta tensión completamente nuevo que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología Advanced se ha diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir una velocidad de dv/dt extrema.
Baja capacitancia eficaz de salida
100 % a prueba de avalancha
Sin plomo
En conformidad con RoHS
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