MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFSC010N08M7, VDSS 80 V, ID 61 A, N, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 229-6475
- Nº ref. fabric.:
- NTMFSC010N08M7
- Fabricante:
- onsemi
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| 100 - 495 | 1,19 € | 5,95 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 229-6475
- Nº ref. fabric.:
- NTMFSC010N08M7
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 61A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NTMFS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.95 mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 61A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NTMFS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.95 mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET DE canal N ON Semiconductor se produce mediante un proceso de zanja de potencia Advanced. los avances en tecnologías de encapsulado frío doble y silicio se han combinado para ofrecer la resistencia de estado de conexión más baja al tiempo que se mantiene un excelente rendimiento de conmutación gracias a la resistencia térmica de unión extremadamente baja a ambiente.
Capacidad térmica de encapsulado mejorada
Reduce la pérdida de conducción
Mejora de la eficiencia del sistema
El material del paquete cumple con los últimos requisitos