MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMTS4D3N15MC, VDSS 150 V, ID 165 A, N, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 229-6505
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS4D3N15MC
- Fabricante:
- onsemi
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|---|---|
| 1 - 9 | 6,11 € |
| 10 - 99 | 5,27 € |
| 100 - 499 | 4,56 € |
| 500 - 999 | 4,01 € |
| 1000 + | 3,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-6505
- Nº ref. fabric.:
- NVMTS4D3N15MC
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 165A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.45mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 292W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.42mm | |
| Anchura | 1.2 mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 165A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.45mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 292W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.42mm | ||
Anchura 1.2 mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia industrial ON Semiconductor en un encapsulado de cable plano de 8 x 8 mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Flanco sumergible capaz de mejorar la inspección óptica. Se utiliza en la protección de la batería del inversor, fuentes de alimentación conmutadas e interruptores de alimentación.
Diseño compacto
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimice las pérdidas del conductor
Inspección óptica mejorada