MOSFET, N-Canal STMicroelectronics RF2L16180CB4, VDSS 65 V, B4E, Mejora de 4 pines, config. Simple

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Código RS:
230-0085P
Nº ref. fabric.:
RF2L16180CB4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Frecuencia de Funcionamiento

1450MHZ

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

65V

Encapsulado

B4E

Serie

RF2L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Configuración de transistor

Simple

Longitud

27.94mm

Altura

9.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

9.78mm

Estándar de automoción

No

Ganancia de potencia típica

14dB

El STMicroelectronics RF2L16180CB4 es un transistor LDMOS ajustado internamente de 180 W y 28 V diseñado para estaciones base WCDMA/PCS/DCS/LTE de varios canales y aplicaciones ISM con frecuencias de 1300 a 1600 MHz. Se pueden configurar cuatro cables como de un extremo, de inserción-extracción de 180 grados o híbridos de 90 grados o Doherty con una red de ajuste externa adecuada.

Operaciones de ganancia lineal y alta eficiencia

Protección ESD integrada

Se ajustan internamente para facilitar el uso

Optimizado para aplicaciones Doherty

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