MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, B-2, Mejora de 2 pines, config. Simple

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Código RS:
230-0086
Nº ref. fabric.:
RF2L36075CF2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Frecuencia de Funcionamiento

3.5 GHz

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

B-2

Serie

RF2L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

2

Modo de canal

Mejora

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Configuración de transistor

Simple

Longitud

20.57mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

3.61mm

Anchura

19.44 mm

Ganancia de potencia típica

12.5dB

Estándar de automoción

No

El STMicroelectronics RF2L36075CF2 es un transistor LDMOS ajustado internamente de 75 W diseñado para estaciones base WCDMA/PCS/DCS/LTE multicarrier y aplicaciones de radar de banda S en el rango de frecuencia de 3,1 a 3,6 GHz. Se puede utilizar en clase AB, B o C para todos los formatos de modulación de estación base celular típicos.

Operaciones de ganancia lineal y alta eficiencia

Protección ESD integrada

Ajuste de entrada interna para facilitar el uso

Amplio rango de tensión de fuente de puerta positiva y negativa para mejorar el funcionamiento de clase C.

Excelente estabilidad térmica, baja deriva de HCI

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