MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 101 A, Mejora, TO-263 de 4 pines

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Código RS:
230-9080
Nº ref. fabric.:
NTB7D3N15MC
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

101A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-263

Serie

NTB7D

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

73mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

53nC

Disipación de potencia máxima Pd

166W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.83 mm

Altura

15.88mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET DE ON Semiconductor - MOSFET de zanja de potencia de puerta apantallada de canal N tiene una tensión de drenaje a fuente de 150 V.

Rendimiento de conmutación optimizado

RDS(on) máx. = 7,3 mΩ con VGS = 10 V, ID = 62A

El Qrr más bajo del sector y el diodo de cuerpo más suave para conmutación de ruido bajo superior

Qrr un 50 % más bajo que otros proveedores de MOSFET

Alta eficiencia con menor pico de conmutación y EMI

Reduce el ruido de conmutación/EMI

FOM de conmutación mejorada, especialmente QGD

100% UIL probado

Sin necesidad o menos amortiguador

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