MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, H-PSOF de 4 pines

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Código RS:
230-9082
Nº ref. fabric.:
NTBL082N65S3HF
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

H-PSOF

Serie

SUPERFET III

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

82mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

79nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

313W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free Halide free non AEC-Q and PPAP

Anchura

2.4 mm

Altura

13.28mm

Longitud

10.2mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET SUPERFET III serie ON Semiconductor es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por lo tanto, SUPERFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia.

Alta densidad de potencia

Configuración de fuente Kelvin

Bajo ruido de puerta y pérdida de conmutación

Capacitancia optimizada

Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs

Nivel de sensibilidad a la humedad 1 garantizado

Alta fiabilidad en condiciones de ambiente húmedo

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