MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTH4LN040N65S3H, VDSS 650 V, ID 62 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 230-9085
- Nº ref. fabric.:
- NTH4LN040N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
10,81 €
(exc. IVA)
13,08 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 430 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 10,81 € |
| 10 - 99 | 9,32 € |
| 100 + | 8,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 230-9085
- Nº ref. fabric.:
- NTH4LN040N65S3H
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 379W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 132nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Altura | 13.28mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 379W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 132nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Altura 13.28mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET SUPERFET III serie ON Semiconductor es una nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por lo tanto, la serie SUPERFET III MOSFET FAST ayuda a minimizar varios sistemas de potencia y mejorar la eficiencia del sistema.
100 % a prueba de avalancha
Compatible con RoHS
Típ. RDS(ON) = 32 mΩ
Resistencia de puerta interna: 0,7 Ω
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. QG = 132 nC)
700 V a TJ = 150 oC
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines