MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, Hip-247 de 4 pines

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Código RS:
233-0475P
Nº ref. fabric.:
SCTWA70N120G2V-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

91A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

SCTWA70N120G2V-4

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

547W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

150nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

2.7V

Temperatura de funcionamiento máxima

200°C

Altura

5mm

Longitud

34.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando Advanced de ST y la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2nd generación. El dispositivo dispone de resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de conexión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Carga de puerta muy baja y capacitancia de entrada

Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)

Pasador de detección de fuente para mayor eficiencia

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