MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 91 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 233-3024P
- Nº ref. fabric.:
- SCTW70N120G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
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| 15 - 19 | 34,44 € |
| 20 + | 33,56 € |
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- Código RS:
- 233-3024P
- Nº ref. fabric.:
- SCTW70N120G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 91A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Serie | SCTW70N | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 21mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 547W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 2.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 91A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Serie SCTW70N | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 21mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 547W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 2.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha fabricado aprovechando las propiedades innovadoras de Advanced de materiales de salto de banda amplio. El resultado es una resistencia de conexión insuperable por área de unidad y un rendimiento de conmutación muy bueno casi independiente de la temperatura. Las excelentes propiedades térmicas del material Sic permiten a los diseñadores utilizar un contorno estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada. Estas características hacen que el dispositivo sea perfectamente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacidad de entrada y carga de puerta extremadamente baja