MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 396 A, Mejora, HDSOP de 16 pines

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Código RS:
233-4372
Nº ref. fabric.:
IPTC012N08NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

396A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

HDSOP

Serie

IPTC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

16

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

175nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

10.3 mm

Altura

2.35mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

El Infineon IPTC012N08NM5 forma parte del MOSFET de potencia OptiMOS 5 en TOLT en el encapsulado DE refrigeración lateral TOP TO-emplomado para un rendimiento térmico superior. Este innovador encapsulado, combinado con las características clave de la tecnología OptiMOS 5, permite los mejores productos de su clase en 80 V, así como alta corriente nominal de 300 A para diseños de alta densidad de potencia. Con la configuración de refrigeración lateral de TOP, el drenaje se expone en la superficie del encapsulado y el 95% de la disipación de calor se puede promover directamente al disipador térmico, logrando un 20% mejor de RthJA y un 50% mejor de RthJC en comparación con el paquete DE PEAJE. Con encapsulados de refrigeración lateral inferior como TOLL o D2PAK, el calor se disipa a través de la PCB al disipador térmico, lo que provoca altas pérdidas de potencia.

Stand-off negativo

Ahorro en el sistema de refrigeración

Mayor eficiencia del sistema, lo que permite una mayor duración de la batería

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