MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 396 A, Mejora, HDSOP de 16 pines
- Código RS:
- 233-4372
- Nº ref. fabric.:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 233-4372
- Nº ref. fabric.:
- IPTC012N08NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 396A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Serie | IPTC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 175nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.3 mm | |
| Altura | 2.35mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 396A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Serie IPTC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 175nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.3 mm | ||
Altura 2.35mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IPTC012N08NM5 forma parte del MOSFET de potencia OptiMOS 5 en TOLT en el encapsulado DE refrigeración lateral TOP TO-emplomado para un rendimiento térmico superior. Este innovador encapsulado, combinado con las características clave de la tecnología OptiMOS 5, permite los mejores productos de su clase en 80 V, así como alta corriente nominal de 300 A para diseños de alta densidad de potencia. Con la configuración de refrigeración lateral de TOP, el drenaje se expone en la superficie del encapsulado y el 95% de la disipación de calor se puede promover directamente al disipador térmico, logrando un 20% mejor de RthJA y un 50% mejor de RthJC en comparación con el paquete DE PEAJE. Con encapsulados de refrigeración lateral inferior como TOLL o D2PAK, el calor se disipa a través de la PCB al disipador térmico, lo que provoca altas pérdidas de potencia.
Stand-off negativo
Ahorro en el sistema de refrigeración
Mayor eficiencia del sistema, lo que permite una mayor duración de la batería
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