MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 1.2 kV, ID 68 A, N, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 233-6854P
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 233-6854P
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | NTH | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 151nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 325W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -0.45V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Altura | 41.36mm | |
| Anchura | 5.2mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie NTH | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 151nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 325W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -0.45V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.8mm | ||
Altura 41.36mm | ||
Anchura 5.2mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) – EliteSiC, 22 mohm, 1.200 V, M3S, TO-247-4L
EL ON Semiconductor NTH4L022N120M3S es un MOSFET de canal N sencillo de alimentación SiC. Está disponible en un encapsulado TO247-4L. Con una tensión de drenador a fuente de 1200 V y una corriente de drenaje continua de 68 A, el NTH4L022N120M3S se utiliza en aplicaciones como inversores solares, estaciones de carga de vehículos eléctricos, SAI (fuentes de alimentación ininterrumpida), sistemas de almacenamiento de energía, SMPS (fuentes de alimentación de modo conmutado).
El RDS(on) típico para este dispositivo es de 22 mꭥ con VGS de 18 V.
El dispositivo ofrece bajas pérdidas de conmutación
Se ha probado con un 100 % de avalancha