MOSFET, Tipo N-Canal Renesas Electronics 2SK1835-E, VDSS 1500 V, ID 4 A, Mejora, TO-3PN de 3 pines

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Código RS:
234-7061
Nº ref. fabric.:
2SK1835-E
Fabricante:
Renesas Electronics
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Marca

Renesas Electronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1500V

Encapsulado

TO-3PN

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.6Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

5mm

Longitud

15.9mm

Anchura

20.1 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de silicio de Renesas Electronics es adecuado para aplicaciones de conmutación y conmutación de carga. Tiene una alta tensión de ruptura de 1.500 V. También es adecuado para regulador de conmutación.

Baja resistencia de conexión

Conmutación de alta velocidad

Alta robustez

Corriente de accionamiento baja

Sin descomposición secundaria

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