Transistor MOSFET Infineon IST006N04NM6AUMA1, VDSS 40 V, ID 475 A, HSOF-5 de 5 pines

Código RS:: 235-0606
Nº ref. fabric.:: IST006N04NM6AUMA1
Fabricante:: Infineon

Transistor MOSFET Infineon IST006N04NM6AUMA1, VDSS 40 V, ID 475 A, HSOF-5 de 5 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

2,62 €

(exc. IVA)

3,17 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 18	2,62 €	5,24 €
20 - 48	2,255 €	4,51 €
50 - 98	2,10 €	4,20 €
100 - 198	1,935 €	3,87 €
200 +	1,81 €	3,62 €

*precio indicativo

Código RS:: 235-0606
Nº ref. fabric.:: IST006N04NM6AUMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IST006N04NM6AUMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El transistor de potencia Infineon OptiMOSTM6 funciona con 40 V y una corriente de drenaje de 475 A. Se suministra en un encapsulado Stoll con RDS(on) muy baja de 0,60 mOhm. Tiene las ventajas del conocido nivel de calidad de Infineon para encapsulados industriales robustos, lo que lo convierte en la solución ideal para diversas prestaciones en aplicaciones alimentadas por batería, protección de batería y formación de baterías.

Optimizado para aplicaciones de accionamiento de motor de baja tensión
Optimizado para aplicaciones de alimentación por batería
Muy baja resistencia de conexión RDS(on)
100 % probado en avalancha
Rendimiento térmico superior
Canal N

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	475 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	HSOF-5
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,0006 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.3V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Silicio

Transistor MOSFET Infineon IST006N04NM6AUMA1, VDSS 40 V, ID 475 A, HSOF-5 de 5 pines

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