MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

1.920,00 €

(exc. IVA)

2.325,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 06 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,384 €1.920,00 €

*precio indicativo

Código RS:
241-9684
Nº ref. fabric.:
IAUC100N04S6L014ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

IAUC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de automoción de canal N Infineon OptiMOSTM tiene una tensión de fuente de drenaje (VDS) de 40 V y una corriente de drenaje (ID) de 100 A. Dispone de tecnología MOS en el encapsulado sin cable SS08 de 5 x 6 mm² con el más alto nivel de calidad y robustez para aplicaciones de automoción.

OptiMOS™ - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

Canal N - Modo de mejora - Nivel lógico

Calificación AEC Q101

MSL1 hasta 260° C de reflujo máximo

175° C de temperatura de funcionamiento

Producto ecológico (cumple con la directiva RoHS)

Probado al 100% en Avalancha

Enlaces relacionados