MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 80 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 243-9316
- Nº ref. fabric.:
- IAUC80N04S6N036ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,246 € | 1.230,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 243-9316
- Nº ref. fabric.:
- IAUC80N04S6N036ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | IAUC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie IAUC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie IAUC de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 80 A - IAUC80N04S6N036ATMA1
Características y ventajas:
• La RDS(on) muy baja de 1,4 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia máxima de 81 W admite cargas de conmutación pesadas
• La carga de puerta Qg 80 nC permite requisitos de accionamiento predecibles
• El VDS máximo de 20 V permite la integración de sistemas de baja tensión
Aplicaciones
• Se utiliza con módulos de gestión de potencia en vehículos electrificados
• Ideal para etapas MOSFET de accionamiento de motor en sistemas auxiliares
• Puede utilizarse para protección de baterías y distribución de energía
¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta son necesarias para una conmutación eficiente?
¿Cómo afecta el rango térmico a la implantación en la electrónica de los vehículos?
¿Qué limitaciones de montaje y encapsulado se aplican a la disposición del circuito?
¿Qué limitaciones de tensión y polaridad deben observar los diseñadores?
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