MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 80 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

1.230,00 €

(exc. IVA)

1.490,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 5000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,246 €1.230,00 €

*precio indicativo

Código RS:
243-9316
Nº ref. fabric.:
IAUC80N04S6N036ATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

IAUC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de Infineon es un MOSFET de potencia OptiMOS para aplicaciones de automoción, modo de mejora de canal N, nivel lógico y calificación AEC Q101.

Canal N

100 % probado para avalancha

AEC Q101 calificado

MSL1 hasta 260°C de pico de reflujo

Temperatura de funcionamiento 175 °C

Producto verde (conforme a RoHS)

Enlaces relacionados