MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon ISC300N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

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Código RS:
762-982
Nº ref. fabric.:
ISC300N20NM6ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

30mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.2mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

5.35mm

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un dispositivo de canal N de 200 V diseñado para aplicaciones de potencia eficientes. Dispone de baja resistencia de conexión y carga de recuperación inversa mínima (Qrr). Además, cumple los estándares RoHS, no contiene halógenos y está clasificado como MSL 1 según J-STD-020.

100 % a prueba de avalancha

Temperaturas de funcionamiento: 175°C

Energía de avalancha nominal alta

Chapado sin plomo

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