MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon ISC300N20NM6ATMA1, VDSS 200 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 762-982
- Nº ref. fabric.:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
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| 25 - 99 | 1,03 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 762-982
- Nº ref. fabric.:
- ISC300N20NM6ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 44A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 44A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El transistor de potencia OptiMOS 6 de Infineon es un dispositivo de canal N de 200 V diseñado para aplicaciones de potencia eficientes. Dispone de baja resistencia de conexión y carga de recuperación inversa mínima (Qrr). Además, cumple los estándares RoHS, no contiene halógenos y está clasificado como MSL 1 según J-STD-020.
100 % a prueba de avalancha
Temperaturas de funcionamiento: 175°C
Energía de avalancha nominal alta
Chapado sin plomo
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