MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC0803LSATMA1, VDSS 100 V, ID 44 A, Mejora, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

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Código RS:
235-0603
Nº ref. fabric.:
BSC0803LSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

BSC

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

14.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

52W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.49mm

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de potencia OptiMOSTM5 de Infineon funciona con 100 V y una corriente de drenaje de 4 A. La cartera OptiMOSTM5 de Infineon está dirigida a aplicaciones de adaptador y USB-PD. Los productos ofrecen una subida rápida y tiempos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS™ para suministro de potencia permiten diseños con menos piezas, lo que reduce los costes de BOM. OptiMOS™ PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Optimizado para SMPS de alto rendimiento

Probado al 100 % en avalancha

Resistencia térmica superior

Canal N, nivel lógico

Chapado de cable sin plomo; Conformidad con RoHS

Libre de halógenos conforme a IEC61249-2-21

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