MOSFET, N-Canal ROHM QH8KB6TCR, VDSS 40 V, ID 8 A, Mejora, TSMT-8 de 8 pines
- Código RS:
- 235-2666P
- Nº ref. fabric.:
- QH8KB6TCR
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 235-2666P
- Nº ref. fabric.:
- QH8KB6TCR
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TSMT-8 | |
| Serie | QH8KB6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 850μm | |
| Longitud | 3.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TSMT-8 | ||
Serie QH8KB6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.5W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 850μm | ||
Longitud 3.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
The ROHM dual N channel MOSFET which supports 40V withstand voltage. This is designed for 24V input equipment's such as factory automation equipment's, and motors mounted on base stations. This product consists of a low on-resistance N channel MOSFET which is reduced 58%. This contributes to low power consumption of various devices.
Small surface mount package
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen Free