MOSFET, N-Canal ROHM R6507END3TL1, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
235-2685
Nº ref. fabric.:
R6507END3TL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

650 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

7 A

Modo de canal

Mejora

Encapsulado

TO-252

Número de pines

3

Estándar de automoción

No

Altura

10.4 mm

Longitud

6.4 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

665 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

78 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

20 nC

Anchura

2.4 mm

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

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