MOSFET, N-Canal ROHM R6507END3TL1, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
235-2686P
Nº ref. fabric.:
R6507END3TL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

665mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

78W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

10.4mm

Anchura

2.4mm

Longitud

6.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

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