MOSFET, N-Canal ROHM R8002KNXC7G, VDSS 800 V, ID 1.6 A, Mejora, TO-220FM de 3 pines
- Código RS:
- 235-2698
- Nº ref. fabric.:
- R8002KNXC7G
- Fabricante:
- ROHM
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*precio indicativo
- Código RS:
- 235-2698
- Nº ref. fabric.:
- R8002KNXC7G
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | TO-220FM | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 28W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Altura | 29.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado TO-220FM | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 28W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.3mm | ||
Altura 29.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
The ROHM R8xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency. It achieve higher efficiency via high-speed switching. High-speed switching makes it possible to contribute to higher efficiency in PFC and LLC circuits.
Low on-resistance
Ultra fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant
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