MOSFET, N-Canal ROHM RQ3P300BHTB1, VDSS 100 V, ID 39 A, Mejora, HSMT de 8 pines

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Código RS:
235-2775P
Nº ref. fabric.:
RQ3P300BHTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

39A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

HSMT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

3.4mm

Anchura

850μm

Longitud

3.15mm

Estándar de automoción

No

The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

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