MOSFET, N-Canal ROHM SCT2160KEGC11, VDSS 1200 V, ID 22 A, Mejora, TO-247N de 3 pines

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Código RS:
235-2794
Nº ref. fabric.:
SCT2160KEGC11
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247N

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

165W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

62nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de SiC de canal N de la serie SCT de ROHM es adecuado para inversores solares, convertidores dc/dc, calefacción por inducción y controladores de motor. Tiene baja resistencia de encendido y velocidad de conmutación rápida.

Recuperación inversa rápida

Fácil de paralelo

Fácil de accionar

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS

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