MOSFET, N-Canal ROHM SCT2160KEHRC11, VDSS 1200 V, ID 22 A, Mejora, TO-247N de 3 pines

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Código RS:
235-2797P
Nº ref. fabric.:
SCT2160KEHRC11
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247N

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

4.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

62nC

Disipación de potencia máxima Pd

165W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de SiC de canal N de la serie SCT de ROHM es adecuado para inversores solares, convertidores dc/dc, calefacción por inducción y controladores de motor. Tiene baja resistencia de encendido y velocidad de conmutación rápida.

Recuperación inversa rápida

Fácil de paralelo

Fácil de accionar

Chapado de cable sin plomo

En conformidad con RoHS

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