MOSFET, Tipo N-Canal ROHM SCT2450KEGC11, VDSS 1200 V, ID 10 A, Mejora, TO-247N de 3 pines
- Código RS:
- 235-2803
- Nº ref. fabric.:
- SCT2450KEGC11
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
8,91 €
(exc. IVA)
10,78 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 12 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,91 € |
| 10 - 24 | 8,08 € |
| 25 - 49 | 7,70 € |
| 50 - 99 | 7,55 € |
| 100 + | 6,67 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 235-2803
- Nº ref. fabric.:
- SCT2450KEGC11
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247N | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 450mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tensión directa Vf | 4.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 85W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247N | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 450mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Tensión directa Vf 4.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 85W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de SiC de canal N de la serie SCT de ROHM es adecuado para inversores solares, convertidores dc/dc, calefacción por inducción y controladores de motor. Tiene baja resistencia de encendido y velocidad de conmutación rápida.
Recuperación inversa rápida
Fácil de paralelo
Fácil de accionar
Chapado de cable sin plomo
En conformidad con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247N de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247N de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247N de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247N de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247N de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247N de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247N de 3 pines
- MOSFET VDSS 1200 V Mejora, TO-247 de 4 pines